Ученые Массачусетского технологического института (MIT) разработали технологию, которая позволит «выращивать» транзисторы атомарного уровня непосредственно на поверхности кремниевых микросхем. Это позволит создавать компьютерные чипы с большей плотностью транзисторов и более высокой производительностью, сообщает ИА El.kz
Учёные продемонстрировали новую технологию, которая позволяет эффективно и качественно «выращивать» слои двумерных материалов непосредственно на полностью готовом кремниевом чипе.
Исследователей MIT разработала низкотемпературный процесс выращивания, который не повреждает чип.
В прошлом исследователи выращивали двумерные материалы отдельно, а затем переносили эту тончайшую плёнку на чип. Новый процесс позволяет вырастить равномерный, однородный слой на всей поверхности пластины менее чем за час.
Ученые выращивают тонкие пленки дисульфида молибдена на поверхности кремниевой пластины для чего требуется температура около 400 градусов Цельсия.
В будущем исследователи хотят наносить транзисторы на текстиль или даже бумагу. Кроме того, технология позволит сделать компьютеры еще более мощными.